沿着“一带一路” 铺就一条亨通路

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亨通(d)NaZn(PO3)3和NaZn(PO3)3:Mn+VZn的晶体结构和二维电荷密度图。创新点:沿着带路条南开大学武莉、沿着带路条张毅教授与华南理工大学夏志国教授合作,发现在具有类钙钛矿结构的无机化合物NaZn(PO3)3中由于缺陷诱导,掺入的锰离子自发由+4还原为+2,合成的发光材料表现出优异的抗热猝灭特性。

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亨通(b)基质材料和具有Zn空位的掺杂样品的电子态密度(DOS)图。在锰离子由四价向二价转化的过程中,沿着带路条伴随着在晶格中形成了大量缺陷,沿着带路条这些缺陷不仅辅助了自还原的过程,同时在禁带中形成了缺陷能级,会随温度升高释放俘获的载流子,使材料表现出优异的抗热猝灭特性(图4)。该工作得到了国家自然科学基金委、亨通天津市科技局的资助。

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热释光测量表明样品中的缺陷能级深度为1.75eV,沿着带路条该深能级缺陷为Zn阳离子空位缺陷,诱导掺入的Mn4+被还原为Mn2+离子(图2)。武莉教授、亨通夏志国教授和张毅教授为共同通讯作者。

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第一性原理及第一性分子动力学计算表明在该体系中,沿着带路条高温不仅没有导致Mn2+离子被氧化,沿着带路条反而促进了Mn2+的稳定,验证了深能级缺陷诱导掺入的Mn4+被还原为Mn2+离子这一科学思想(图3)。

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